職種別の選考対策
年次：
24年卒 技術
技術
No.216892 本選考 / エントリーシート（ES）のエントリーシート
24年卒 技術
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24年卒
エントリーシート（ES）
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本選考
大学非公開 | 理系
エントリーシート（ES）
| 最終選考結果 | 1次選考通過 |
|---|
研究テーマを入力してください。（改行禁止、50字以下）
◯◯による◯◯の製作と評価
大学・大学院・高専における研究内容（研究が始まっていない方は積極的に取り組んだ授業の内容）を入力して下さい。（改行禁止、200文字以下）
◯◯、◯◯、◯◯の授業です。◯◯は身近な機器等に用いられる◯◯の解析について学び、◯◯ではトランジスタをはじめ、IGBTやサイリスタなどのパワーデバイスの基礎について学びました。◯◯ではICやトランジスタなどの動作原理、種類について学び、更に他科目も踏まえて半導体の◯◯や◯◯についても学びました。
当社への志望動機を入力してください。（改行禁止、200文字以下）
幅広い製品に搭載されている半導体を見て、自身が手がけた半導体で今後の産業を支えたいと考えたからです。貴社は期待されるパワー半導体などに積極的に投資をしており、今後の不安定な世の中においても安定した半導体を供給できると考えます。また開発から製造までの一貫した生産体制により品質を第一とする貴社は、...
長所を入力してください。（20字以下）
目標達成まで諦めずにやり遂げること
改善したいとお考えの点を入力してください。（20字以下）
1つに集中して周りが見えなくなること
趣味・特技を入力してください。（20字以下）
サイクリング、ウォーキング
学生時代に注力したことを簡潔に入力してください。（20字以下）
アルバイトで主体的に行動すること、学業
職種志望理由を入力して下さい。（改行禁止、200文字以下）
私の専攻分野を生かした半導体の開発設計ができると考えたからです。現在◯◯を専攻しており、今後EVやスマートシティ化などへ更なる需要が見込まれるパワー半導体の開発設計に興味があります。品質を第一とする貴社の業界トップレベルの技術力でSiCパワー半導体の開発設計を自らの手で行うことで、信頼性のある...
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